朗科：將研發(fā)超高頻 DDR5 電競內存，頻率可達 10000MHz 以上

Netac 朗科科技今天宣布首批 DDR5 DRAM 內存顆粒已抵達朗科研發(fā)總部，朗科正式進入 DDR5 內存研發(fā)階段。

IT之家了解到，此批到達的顆粒為 Micron DDR5 ES，IC 編號為 Z9ZSB，根據(jù) Micron 官網(wǎng)查詢?yōu)?ES 樣品，顆粒容量為 2Gx8，工作時序為 40-40-40。顆�；�于 1znm 工藝制造，尺寸為 11x9mm。

官方表示，朗科自 2018 年進入內存行業(yè)，目前已經(jīng)推出新款電競及國產(chǎn)化內存產(chǎn)品，預計在今年 6 月推出 DDR4 電競 RGB 燈條。結合內存性能的過往發(fā)展、研發(fā)路程以及對玩家速度的追求，朗科計劃投入研發(fā)可達 10000MHz 以上的 DDR5 內存產(chǎn)品，敬請期待。