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三星:3納米GAA制程研發(fā)進度領(lǐng)先臺積電

2021年8月27日 07:01  界面新聞  

臺灣《經(jīng)濟日報》8月26日消息,據(jù)韓媒Business Korea報道,三星電子裝置解決方案事業(yè)部門技術(shù)長Jeong Eun-seung周三(25日)在一場網(wǎng)絡(luò)技術(shù)論壇中表示,三星能夠搶在主要競爭者臺積電之前,宣布GAA技術(shù)商業(yè)化。

他說,“我們開發(fā)中的GAA技術(shù),領(lǐng)先主要競爭者臺積電。一旦鞏固這項技術(shù),我們的晶圓代工事業(yè)將可更加成長。”

據(jù)報道,GAA是3納米制程的關(guān)鍵。GAA技術(shù)的優(yōu)點在于改變電晶體架構(gòu),將之由鰭式場效電晶體(FinFET)的3D轉(zhuǎn)為GAA的4D。

編 輯:章芳
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