意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)宣布與三星聯(lián)合推出 18nm FD-SOI 工藝。該工藝支持嵌入式相變存儲器(ePCM)。
注:FD-SOI 即全耗盡型絕緣體上硅,是一種平面半導(dǎo)體工藝技術(shù),可以較簡單的制造步驟實現(xiàn)優(yōu)秀的漏電流控制。
意法半導(dǎo)體表示,相較于其現(xiàn)在使用的 40nm eNVM 技術(shù),采用 ePCM 的 18nm FD-SOI 工藝大幅提升了性能參數(shù):其在能效上提升了 50%,數(shù)字密度上提升了 3 倍,同時可容納更大的片上存儲器,擁有更低的噪聲系數(shù)。
該工藝能夠在 3V 電壓下提供多種模擬功能,包括電源管理、復(fù)位系統(tǒng)等,是 20nm 以下制程中唯一支持這些功能的技術(shù)。
同時,新的 18nm FD-SOI 工藝在抗高溫、抗輻射等方面也有出色表現(xiàn),可用于要求苛刻的工業(yè)應(yīng)用。
意法半導(dǎo)體首款基于該制程的 STM32 MCU 將于下半年開始向選定的客戶出樣,并計劃于 2025 年下半年量產(chǎn)。