臺媒《電子時報》（DIGITIMES）今日報道稱，臺積電最快在 2028 年推出的 A14P 制程中引入 High NA EUV 光刻技術(shù)。
臺積電目前正式公布的最先進(jìn)制程為 A16，該工藝將支持背面供電網(wǎng)絡(luò)（BSPDN），定于 2026 下半年量產(chǎn)。從目前消息來看，在 A16 上臺積電仍將采用傳統(tǒng)的 Low NA (0.33NA) EUV 光刻機(jī)。
臺媒在報道中表示，臺積電在 A16 后的下一代工藝 A14 預(yù)計于 2026 上半年進(jìn)入風(fēng)險試產(chǎn)階段，最快 2027 年三季度量產(chǎn)，該節(jié)點(diǎn)的主力光刻設(shè)備仍將是 ASML 的 NXE:3800ELow NA EUV 機(jī)臺。
而在 A14 改進(jìn)版 A14P 中，臺積電有望正式啟用 High NA EUV 光刻技術(shù)，該節(jié)點(diǎn)在時間上大致落在 2028 年。
臺積電將在 2030 年后進(jìn)入 A10 等更先進(jìn)世代，屆時會全面導(dǎo)入 High NA EUV 技術(shù)，進(jìn)一步改進(jìn)制程技術(shù)的成本與效能。
報道還提到，臺積電已完成量產(chǎn)用 ASML High NA EUV 光刻機(jī)的首階段采購。
而在研發(fā)用機(jī)臺方面，ASML 此前已經(jīng)披露，將在 2024 年內(nèi)交付臺積電的首臺 High NA EUV 光刻機(jī)，價值達(dá) 3.8 億美元（IT之家備注：當(dāng)前約 27.62 億元人民幣）。
臺積電的先進(jìn)代工競爭對手中，英特爾明確將在 Intel A14 節(jié)點(diǎn)使用 High NA 光刻；三星電子雖早已向 ASML 下單 High NA EUV 光刻機(jī)但未明確何時啟用；Rapidus 的 High NA 節(jié)點(diǎn)至少也要等到 2nm 后。
