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天域半導(dǎo)體打破國(guó)際壟斷 自主研發(fā)筑造技術(shù)護(hù)城河

2025年12月1日 11:34CCTIME飛象網(wǎng)

在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重構(gòu)與新能源革命深度交織的時(shí)代,第三代半導(dǎo)體材料以其獨(dú)特的性能優(yōu)勢(shì),成為破解傳統(tǒng)半導(dǎo)體技術(shù)瓶頸的核心密鑰。碳化硅作為第三代半導(dǎo)體的核心代表,在高壓、高溫、高頻場(chǎng)景中不可或缺,直接支撐新能源汽車(chē)、光伏、智能電網(wǎng)等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的升級(jí)迭代。廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司,作為中國(guó)碳化硅外延片領(lǐng)域的技術(shù)先驅(qū)與行業(yè)領(lǐng)航者,以持續(xù)的尺寸技術(shù)突破打破國(guó)際壟斷,以全鏈條技術(shù)可控構(gòu)建核心壁壘,在國(guó)產(chǎn)替代浪潮中扛起行業(yè)發(fā)展大旗,書(shū)寫(xiě)著中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的突圍傳奇。

作為中國(guó)為數(shù)不多深耕第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè),天域半導(dǎo)體自成立以來(lái)便錨定碳化硅外延片這一關(guān)鍵賽道,始終以技術(shù)創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)產(chǎn)業(yè)升級(jí)。外延片作為功率半導(dǎo)體器件的核心原材料,其技術(shù)水平直接決定終端產(chǎn)品的性能上限。在國(guó)際巨頭長(zhǎng)期壟斷核心技術(shù)與市場(chǎng)供給的背景下,天域半導(dǎo)體率先實(shí)現(xiàn)全尺寸產(chǎn)品的技術(shù)突破與量產(chǎn)落地,構(gòu)建起覆蓋4英寸、6英寸及8英寸的產(chǎn)品矩陣,成為推動(dòng)行業(yè)技術(shù)迭代的核心力量。2014年,公司實(shí)現(xiàn)4英寸碳化硅外延片量產(chǎn),為國(guó)內(nèi)早期碳化硅器件研發(fā)提供了穩(wěn)定可靠的本土供應(yīng);同年,公司成功研制出十千伏級(jí)外延材料,打破了海外對(duì)于超高壓材料的禁運(yùn)。這不僅是公司技術(shù)上的突破,也是中國(guó)半導(dǎo)體材料發(fā)展的一重大里程碑。據(jù)悉這種超高壓級(jí)別的材料主要應(yīng)用在AI數(shù)據(jù)中心、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域,為未來(lái)這部分市場(chǎng)發(fā)展埋下伏筆;2018年完成6 英寸產(chǎn)品量產(chǎn),精準(zhǔn)匹配市場(chǎng)主流需求,迅速搶占市場(chǎng)份額;2023年成功具備8英寸量產(chǎn)能力,成為國(guó)內(nèi)少數(shù)能夠量產(chǎn)8英寸碳化硅外延片的企業(yè)之一,實(shí)現(xiàn)了從“跟跑”到“并跑”再到“局部領(lǐng)跑”的跨越。

尺寸技術(shù)和生長(zhǎng)厚度的持續(xù)突破,為天域半導(dǎo)體的國(guó)產(chǎn)替代之路奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。2024年數(shù)據(jù)顯示,以收入計(jì),公司在中國(guó)自制碳化硅外延片市場(chǎng)的份額達(dá) 30.6%,以銷(xiāo)量計(jì)更是高達(dá) 32.5%,穩(wěn)居國(guó)內(nèi)第一;在全球市場(chǎng)中,公司位列中國(guó)廠商第三,市場(chǎng)份額分別為 6.7%(收入計(jì))及 7.8%(銷(xiāo)量計(jì)),成為全球碳化硅外延片市場(chǎng)中不可忽視的中國(guó)力量。尤為值得關(guān)注的是,8英寸較于6英寸外延片不僅使單位面積芯片產(chǎn)出提升90%,更通過(guò)降低邊緣缺陷密度顯著提升良率,其毛利率在2025 年前五個(gè)月達(dá)到 49.8%,充分彰顯了大尺寸技術(shù)突破的商業(yè)價(jià)值。這一突破不僅填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)技術(shù)空白,更打破了海外廠商在高端市場(chǎng)的壟斷格局,使國(guó)內(nèi)下游企業(yè)得以擺脫對(duì)進(jìn)口產(chǎn)品的依賴(lài),為中國(guó)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的自主可控提供了關(guān)鍵支撐。

技術(shù)可控是企業(yè)抵御行業(yè)風(fēng)險(xiǎn)、構(gòu)建核心競(jìng)爭(zhēng)力的底氣所在。天域半導(dǎo)體深諳核心技術(shù)自主可控的戰(zhàn)略意義,構(gòu)建了從研發(fā)到生產(chǎn)、從供應(yīng)鏈到標(biāo)準(zhǔn)制定的全鏈條技術(shù)體系,打造了難以復(fù)制的技術(shù)護(hù)城河。截至 2025年5月31日,公司累計(jì)擁有84項(xiàng)專(zhuān)利,其中發(fā)明專(zhuān)利33項(xiàng)、實(shí)用新型專(zhuān)利51項(xiàng),涵蓋外延生長(zhǎng)工藝、產(chǎn)品測(cè)試、清洗技術(shù)等關(guān)鍵領(lǐng)域,攻克了基平面位錯(cuò)控制、掉落物缺陷抑制等行業(yè)共性難題。在標(biāo)準(zhǔn)制定方面,公司主導(dǎo)或參與起草1項(xiàng)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)、13項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)、12項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)及4項(xiàng)企業(yè)標(biāo)準(zhǔn),以行業(yè)標(biāo)桿身份參與全球技術(shù)規(guī)則制定,掌握行業(yè)發(fā)展話語(yǔ)權(quán)。

持續(xù)加碼的研發(fā)投入與深度協(xié)同的創(chuàng)新生態(tài),為技術(shù)迭代提供了強(qiáng)勁動(dòng)力。2022年至2024年,天域半導(dǎo)體研發(fā)開(kāi)支逐年遞增,分別達(dá)到 2920 萬(wàn)元、5530 萬(wàn)元及6100萬(wàn)元,持續(xù)的投入使其在摻雜濃度均勻性、外延層厚度控制、芯片良率等關(guān)鍵指標(biāo)上達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。公司還承擔(dān)或參與3項(xiàng)國(guó)家級(jí)、7項(xiàng)省市級(jí)重點(diǎn)研發(fā)項(xiàng)目,與科研機(jī)構(gòu)、高校及上下游企業(yè)形成協(xié)同創(chuàng)新生態(tài),持續(xù)鞏固技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。更值得關(guān)注的是,天域半導(dǎo)體通過(guò)推進(jìn)供應(yīng)鏈國(guó)產(chǎn)化,大幅降低了對(duì)海外原材料的依賴(lài),截至 2025年5月,來(lái)自中國(guó)供應(yīng)商的采購(gòu)額占原材料總采購(gòu)額的99.8%,實(shí)現(xiàn)了核心供應(yīng)鏈的自主可控,有效抵御了國(guó)際貿(mào)易政策變動(dòng)帶來(lái)的風(fēng)險(xiǎn),為技術(shù)落地與產(chǎn)能擴(kuò)張?zhí)峁┝朔(wěn)定保障。

從技術(shù)突圍到產(chǎn)業(yè)引領(lǐng),從天域半導(dǎo)體的發(fā)展軌跡中,我們清晰看到了中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的崛起之路。作為行業(yè)發(fā)展的推動(dòng)者,天域半導(dǎo)體不僅以自身技術(shù)突破打破國(guó)際壟斷,更以全鏈條自主可控的實(shí)踐為國(guó)產(chǎn)替代提供了范本,以生態(tài)賦能推動(dòng)整個(gè)行業(yè)協(xié)同發(fā)展。在全球新能源革命與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重構(gòu)的雙重機(jī)遇下,天域半導(dǎo)體將繼續(xù)以技術(shù)為核心、以創(chuàng)新為引擎,持續(xù)突破尺寸限制與技術(shù)瓶頸,鞏固國(guó)產(chǎn)替代成果,推動(dòng)中國(guó)碳化硅外延片行業(yè)向更高質(zhì)量、更高水平邁進(jìn),為中國(guó)戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的自主可控與全球競(jìng)爭(zhēng)力提升提供堅(jiān)實(shí)支撐。

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