8月23日，在2025中國算力大會開幕式上，《2025存力發(fā)展報告》（以下簡稱“報告”）正式發(fā)布。報告顯示，截至今年6月底，我國存力規(guī)模達1680EB。存力建設邁向協(xié)同升級新階段，呈現(xiàn)出區(qū)域梯次布局、單機架密度提升、閃存滲透率提高的三大特征。
報告顯示，截至今年3月底，在區(qū)域存力規(guī)模方面，東部占比55%，中部增長39%，西部增長63%。在先進存力應用方面，全國外置閃存占比超過28%，金融、制造、互聯(lián)網(wǎng)三個行業(yè)滲透率超45%。
數(shù)據(jù)時代驅動存力技術創(chuàng)新發(fā)展，全閃存化建設成為AI基礎設施優(yōu)先選擇。報告顯示，大模型訓練對存儲提出毫秒級延遲、TB級帶寬、EB級擴展要求，推動全閃化、AI數(shù)據(jù)湖、內(nèi)生存儲安全等技術同步發(fā)展。介質(zhì)層面，閃存顆粒3D堆疊層數(shù)突破300層，單位可用容量成本基本與HDD持平；系統(tǒng)層面，NVMe-oF、RDMA網(wǎng)絡與分布式糾刪碼組合方案已在金融、電信運營、醫(yī)療等典型場景中批量應用；基礎設施建設方面，先進存力中心建設模式已在全國進行試點并開展產(chǎn)業(yè)化應用。
報告指出，產(chǎn)業(yè)鏈自主可控能力持續(xù)增強，國產(chǎn)存儲介質(zhì)、芯片、系統(tǒng)實現(xiàn)三級突破。上游方面，長江存儲QLC芯片單晶粒容量達2Tb；中國科學院上海光機所光存儲實現(xiàn)單盤Pb級、壽命可達40年。中游方面，華為、曙光、浪潮等企業(yè)完成從SSD控制器、分布式存儲系統(tǒng)到整機的垂直整合，國產(chǎn)存儲產(chǎn)品連續(xù)多年在全球評估體系中蟬聯(lián)榜首。下游方面，金融、醫(yī)療、能源三大行業(yè)的國產(chǎn)化存儲應用方案已覆蓋核心應用場景，并形成可復制推廣的標準體系。
報告顯示，先進存力正成為支撐金融、電信、醫(yī)療、能源等行業(yè)轉型升級、高質(zhì)量發(fā)展的關鍵力量，在構建金融安全合規(guī)體系、搭建運營商云網(wǎng)融合彈性底座、保障醫(yī)療關鍵場景零中斷、支撐能源系統(tǒng)智能化轉型等方面有顯著效果。
報告還提出了推動中國存力發(fā)展的戰(zhàn)略建議，包括加強先進存儲技術創(chuàng)新、探索先進存力中心建設模式、推廣先進存儲技術應用等，旨在通過技術創(chuàng)新和政策引導，促進存力技術的高質(zhì)量發(fā)展，為中國數(shù)字經(jīng)濟持續(xù)增長提供堅實支撐。
