集微網(wǎng)消息,三星電子表示,已經(jīng)研發(fā)制造出16層堆疊的高帶寬存儲(HBM)的樣品。
三星副總裁Kim Dae-woo表示,三星采用混合鍵合技術制造了該芯片。他表示,雖然16層堆棧HBM距離投入量產(chǎn)還需要一段時間,但證實其運行正常。
Kim Dae-woo還補充說,該芯片是作為HBM3制造的,但三星計劃在HBM4中使用來提高生產(chǎn)率。
消息人士稱,由于對準問題,三星預計只會對一兩個芯片堆疊組使用混合鍵合,但后來將該技術應用于所有堆疊。該樣品是使用三星晶圓廠設備子公司Semes的設備制造的。
Kim Dae-woo還表示,三星正在考慮在HBM4中使用混合鍵合或熱壓非導電薄膜(TC-NCF),并將于2025年推出樣品,2026年開始量產(chǎn)。新推出的HBM3E使用TC-NCF技術。
混合鍵合更具優(yōu)勢,因為它們可以緊湊地添加更多堆疊,而無需使用填充凸塊進行連接的硅通孔(TSV)。HBM上的核心芯片DRAM也可以通過相同的技術變得更厚。
國際半導體標準組織(JEDEC)同意將HBM4的封裝厚度定為775微米(比上一代厚55微米),因此HBM4外形尺寸可能還不需要混合鍵合,仍可使用現(xiàn)有的鍵合技術實現(xiàn)16層DRAM堆疊HBM4。
Kim Dae-woo還表示,在最多8層堆疊的情況下,大規(guī);亓髂V频撞刻畛洌∕R-MUF)的生產(chǎn)效率比TC-NCF更高,但一旦堆疊達到12層或以上,后者將具有更多優(yōu)勢。
Kim Dae-woo還指出,當HBM4推出時,定制需求預計會增加。他補充說,緩存芯片將變更為邏輯芯片,因此芯片可以來自三星電子或臺積電。