據(jù)韓媒 Alphabiz 報道，三星電子方面曾考慮在美國建設先進 DRAM 內存晶圓廠，但最終因為一系列原因轉而選擇建設先進封裝設施。
根據(jù)本周初達成的初步協(xié)議，三星電子將獲得美國至多 64 億美元（IT之家備注：當前約 464 億元人民幣）補貼，在得克薩斯州泰勒市建設兩座先進邏輯代工廠、一座先進封裝工廠和一座先進制程研發(fā)設施。
報道稱，三星電子本考慮在泰勒市建設一座 10nm 級先進制程的 DRAM 內存晶圓廠，相關商討一直持續(xù)到了協(xié)議簽署前的最后一刻。
美國方面為可能的內存廠建設計劃提供了優(yōu)厚的條件，三星方面也對此十分積極。
不過，這一建廠計劃受到一系列因素的阻撓，未能成真。一方面，在美國建設先進內存廠在技術上較為困難，成本也較高；另一方面，韓國政府表達了反對意見。
此外，美國和泰勒市方面都對先進封裝業(yè)務的排污審批持配合態(tài)度。最終三星電子轉而選擇在美建設先進封裝工廠。
業(yè)內人士表示，相較于美國，韓國對于半導體行業(yè)的支持較差，這促使三星電子考慮在美建設先進內存廠，如果韓國政府不能拿出足夠的誠意，那這類計劃下次就將成為現(xiàn)實。
